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HBM

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HBM是一種基于3D堆疊工藝的dram內(nèi)存芯片，由多層dram堆疊

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全部內(nèi)容

2025-01-09 11:49

【韓國SK集團(tuán)會長崔泰源：SK海力士與英偉達(dá)正在加快研發(fā)HBM 已敲定今年供應(yīng)量】財聯(lián)社1月9日電，韓國SK集團(tuán)會長崔泰源8日在2025年國際消費類電子產(chǎn)品展覽會（CES 2025）上舉行記者座談會時表示，人工智能（AI）在所有領(lǐng)域引領(lǐng)變化，不再是可選項。做AI市場的領(lǐng)頭羊還是跟隨者，將決定未來的發(fā)展。目前，AI產(chǎn)業(yè)先要具備基礎(chǔ)設(shè)施和人力資源等基本條件。我們要把握主動開創(chuàng)未來，不能依賴他國。崔泰源還介紹展會期間與英偉達(dá)首席執(zhí)行官（CEO）黃仁勛會面一事，稱雙方就高帶寬存儲器（HBM）和“物理AI”等話題交換了意見。SK海力士正向英偉達(dá)獨家供應(yīng)HBM，去年3月率先供應(yīng)第五代8層HBM3E產(chǎn)品，同年10月全球首次量產(chǎn)12層堆疊的HBM3E內(nèi)存。崔泰源說，其間SK海力士HBM研發(fā)速度略慢于英偉達(dá)，對方（英偉達(dá)）要求SK海力士提速，而近期（SK海力士的）研發(fā)速度開始趕超，兩家公司正在加快研發(fā)HBM。雙方已通過工作層會議敲定了今年的供應(yīng)量。

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2025-01-03 14:04 來自 Chosun Biz

【消息稱三星電子已啟動4nm制程HBM4邏輯芯片試生產(chǎn)】《科創(chuàng)板日報》3日訊，三星電子DS部門內(nèi)存業(yè)務(wù)部最近完成了HBM4內(nèi)存邏輯芯片設(shè)計，F(xiàn)oundry業(yè)務(wù)部現(xiàn)已根據(jù)該設(shè)計采用4nm制程啟動試生產(chǎn)。待完成邏輯芯片的最終性能驗證后，三星電子將向客戶提供其開發(fā)的HBM4內(nèi)存樣品。 (Chosun Biz)

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2025-01-03 12:03

【SK海力士宣布將于CES展示16層HBM3E】《科創(chuàng)板日報》3日訊，SK海力士宣布將參加CES 2025，并將展出16層堆疊HBM3E樣品。SK海力士CEO郭魯正表示，SK海力士將于今年下半年開始量產(chǎn)第六代HBM(HBM4)。

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2024-12-30 12:40

【TrendForce：預(yù)計2025年Q1 DRAM均價下跌】《科創(chuàng)板日報》30日訊，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季進(jìn)入淡季循環(huán)，DRAM市場因智能手機(jī)等消費性產(chǎn)品需求持續(xù)萎縮，加上筆記本電腦等產(chǎn)品因擔(dān)心美國可能拉高進(jìn)口關(guān)稅的疑慮，已提前備貨，進(jìn)而造成DRAM均價下跌。其中，一般型DRAM的跌幅預(yù)估將擴(kuò)大至8%至13%，若計入HBM產(chǎn)品，價格預(yù)計下跌0%至5%。

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2024-12-25 13:49

【機(jī)構(gòu)：預(yù)計2025年HBM出貨量將同比增長70%】《科創(chuàng)板日報》25日訊，據(jù)TechInsights報告指出，隨著AI的興起，特別是在機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中，對高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求空前高漲。預(yù)計2025年HBM出貨量將同比增長70%，因為數(shù)據(jù)中心和AI處理器越來越多地依賴這種類型的存儲器來處理低延遲的大量數(shù)據(jù)。HBM需求的激增預(yù)計將重塑DRAM市場，制造商將優(yōu)先生產(chǎn)HBM，而不是傳統(tǒng)的DRAM產(chǎn)品。

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2024-12-23 14:35 來自臺灣工商時報

《科創(chuàng)板日報》23日訊，美光指出，下一季高頻寬記憶體(HBM)銷售額將季增一倍以上，并預(yù)估2025年全球HBM產(chǎn)值或超過300億美元。 (臺灣工商時報)

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2024-12-23 10:47 來自 Wccftech

【美光：下一代HBM4內(nèi)存計劃2026年大規(guī)模生產(chǎn) 后續(xù)推出HBM4E】《科創(chuàng)板日報》23日訊，美光發(fā)布了其HBM4和HBM4E項目的最新進(jìn)展。具體來看，下一代HBM4內(nèi)存采用2048位接口，計劃在2026年開始大規(guī)模生產(chǎn)，而HBM4E將會在后續(xù)幾年推出。 (Wccftech)

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2024-12-20 14:59 來自 TheElec

《科創(chuàng)板日報》20日訊，SK海力士已贏得向博通供應(yīng)高帶寬內(nèi)存(HBM)的大訂單，預(yù)計明年下半年開始供應(yīng)。 (TheElec)

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2024-12-11 16:21

【美國芯片公司Marvell推出定制HBM計算架構(gòu)】《科創(chuàng)板日報》11日訊，美國芯片公司Marvell宣布推出一種新的定制HBM計算架構(gòu)，使XPU能夠?qū)崿F(xiàn)更高的計算和內(nèi)存密度，提高其定制XPU的性能、效率和TCO。Marvell正與云客戶和領(lǐng)先的HBM制造商美光、三星電子和SK海力士合作，為下一代XPU定義和開發(fā)定制HBM解決方案。

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2024-12-06 12:38 來自 Wccftech

【傳英偉達(dá)Rubin架構(gòu)將提前六個月發(fā)布】《科創(chuàng)板日報》6日訊，據(jù)傳，英偉達(dá)下一代Rubin架構(gòu)將提前六個月上市，Rubin產(chǎn)品線最初計劃于2026年推出，現(xiàn)已提前至2025年中期。Rubin預(yù)計將采用臺積電的3nm工藝，以及HBM4內(nèi)存芯片。 (Wccftech)

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2024-12-06 11:17

【博通推出首個3.5D F2F封裝技術(shù) 預(yù)計2026年生產(chǎn)】《科創(chuàng)板日報》6日訊，博通宣布推出行業(yè)首個3.5D F2F封裝技術(shù)，技術(shù)名為3.5D XDSiP，可在單一封裝中集成超過6000平方毫米的硅芯片和多達(dá)12個HBM內(nèi)存堆棧，可滿足大型AI芯片對高性能低功耗的需求。博通目前正在采用該技術(shù)開發(fā)五款產(chǎn)品，預(yù)計將于2026年2月開始生產(chǎn)。

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2024-11-29 07:30 來自環(huán)球網(wǎng)

【拜登政府考慮進(jìn)一步管制對華芯片措施預(yù)計最早下周公布】財聯(lián)社11月29日電，美國彭博社28日引述知情人士消息稱，拜登政府正考慮進(jìn)一步限制向中國出售半導(dǎo)體設(shè)備和人工智能內(nèi)存芯片，但不會采取此前提出的一些更嚴(yán)厲措施。這些限制措施最早可能會在下周公布。美國《連線》雜志27日稱，拜登政府預(yù)計在下周一宣布最新措施。據(jù)彭博社報道，知情人士表示，新規(guī)的具體內(nèi)容和發(fā)布時間已經(jīng)過多次調(diào)整，在發(fā)布之前可能都會發(fā)生變化。最新提案與早期有幾個關(guān)鍵不同點，首先就是美國將會把哪些中國公司拉入貿(mào)易限制清單。美國此前曾考慮制裁中國科技巨頭華為至少6家供應(yīng)商，但目前計劃僅將部分供應(yīng)商列入清單。報道特別提到，嘗試開發(fā)AI內(nèi)存芯片技術(shù)的長鑫存儲并不在清單之內(nèi)。最新版本的管制措施可能還將包括對高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片的控制等內(nèi)容。 (環(huán)球網(wǎng))

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2024-11-26 13:50

【TrendForce：服務(wù)器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增13.6%】《科創(chuàng)板日報》26日訊，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2024年第三季DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營收為260.2億美元，季增13.6%。受到大陸手機(jī)制造商去化庫存及部分DRAM供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)影響，盡管前三大DRAM原廠LPDDR4及DDR4出貨量下降，但供應(yīng)數(shù)據(jù)中心的DDR5及HBM（高帶寬內(nèi)存）需求上升。平均銷售單價部分，三大原廠延續(xù)前一季的上漲趨勢，加上HBM持續(xù)擠壓整體DRAM產(chǎn)能，合約價于第三季達(dá)成8%至13%的漲幅。

展望2024年第四季，TrendForce集邦咨詢預(yù)估整體原廠位元出貨量將較前一季增加，價格則因HBM擠壓產(chǎn)能效應(yīng)可能較預(yù)期弱，加上部分供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)將驅(qū)動PC OEM和手機(jī)業(yè)者積極去化庫存，以取得較低價DRAM產(chǎn)品，預(yù)期一般型DRAM (Conventional DRAM)合約價、一般型DRAM與HBM合并合約價都將下跌。

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2024-11-24 08:33

財聯(lián)社11月24日電，英偉達(dá)CEO稱，英偉達(dá)正在盡快認(rèn)證三星的AI內(nèi)存芯片，評估三星的8層堆疊和12層堆疊HBM3E內(nèi)存。

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2024-11-21 09:28 來自 BusinessKorea

【三星擴(kuò)產(chǎn)先進(jìn)封裝包括中國蘇州廠與韓國天安基地等】《科創(chuàng)板日報》21日訊，由于HBM產(chǎn)品中封裝重要性不斷加強(qiáng)，三星電子正在擴(kuò)大對國內(nèi)和海外生產(chǎn)基地的投資，以加強(qiáng)其半導(dǎo)體先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)。據(jù)悉，日前三星簽署了第三季度銷售和采購半導(dǎo)體設(shè)備的合同，以擴(kuò)大其中國蘇州工廠的生產(chǎn)設(shè)施，該合同價值約200億韓元。蘇州工廠是目前三星電子唯一的海外測試和封裝生產(chǎn)基地。另外，三星近期也與韓國忠清南道和天安市簽署了投資協(xié)議，以擴(kuò)大半導(dǎo)體封裝工藝設(shè)施。 (BusinessKorea)

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2024-11-20 14:00 來自韓國經(jīng)濟(jì)日報

【報道稱特斯拉已向SK海力士和三星表達(dá)采購HBM4意向】《科創(chuàng)板日報》20日訊，據(jù)報道，SK海力士和三星近期接獲特斯拉的HBM4供應(yīng)要求，正在研發(fā)樣品，不過相較微軟、Meta、谷歌等主要采購定制化芯片，特斯拉將采購?fù)ㄓ肏BM4，用于強(qiáng)化超級電腦Dojo性能，預(yù)期將比較樣品性能后決定主要供應(yīng)商。 (韓國經(jīng)濟(jì)日報)

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2024-11-14 19:06

【TrendForce：SK海力士HBM3e 16hi有望在HBM4推出前突破內(nèi)存容量限制】《科創(chuàng)板日報》14日訊，SK海力士近日在SK AI峰會2024上公布了其正在開發(fā)的HBM3e 16hi內(nèi)存，每個立方體的容量為48 GB，樣品定于2025年上半年推出。TrendForce最新發(fā)現(xiàn)顯示，該產(chǎn)品內(nèi)存面向包括CSP定制ASIC和通用GPU在內(nèi)的應(yīng)用，其有望在HBM4代推出之前突破內(nèi)存容量限制。

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2024-11-13 09:08 來自韓聯(lián)社

【三星電子計劃于韓國天安市新建封裝工廠擴(kuò)容HBM內(nèi)存等后端產(chǎn)能】《科創(chuàng)板日報》13日訊，三星電子計劃在現(xiàn)有韓國忠清南道天安市封裝設(shè)施的基礎(chǔ)上在該市境內(nèi)興建服務(wù)于HBM內(nèi)存等生產(chǎn)的半導(dǎo)體封裝工廠。三星電子將以租賃的形式獲得三星顯示一幢大樓的使用權(quán)，并在三年內(nèi)為該建筑導(dǎo)入生產(chǎn)HBM等所需的半導(dǎo)體后端加工設(shè)備。 (韓聯(lián)社)

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2024-11-12 11:08 來自臺灣電子時報

【消息稱三星計劃為微軟、Meta供應(yīng)定制化HBM4】《科創(chuàng)板日報》12日訊，消息稱三星電子正為微軟和Meta量身打造第六代定制化高帶寬存儲器（HBM）HBM4。業(yè)界預(yù)期從HBM4開始，除了存儲器功能外，HBM還需具備能夠執(zhí)行客戶需求的各種運算。 (臺灣電子時報)

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2024-11-05 10:01 來自 TheElec

《科創(chuàng)板日報》5日訊，SK海力士將于2025年初提供其第5代高帶寬內(nèi)存(HBM)或HBM3E 16H的樣品。 (TheElec)

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