①韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士周四(8月29日)稱,已開發(fā)出第六代10納米級(jí)DRAM芯片; ②該芯片采用了1c工藝,是以1β工藝(第五代10納米技術(shù))為基礎(chǔ)而開發(fā)的; ③新研發(fā)的DRAM將主要用于高性能數(shù)據(jù)中心,運(yùn)行速度提高了11%,且功耗更低。
財(cái)聯(lián)社8月29日訊(編輯 周子意)全球第二大存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士周四(8月29日)表示,已開發(fā)出業(yè)界首款第六代10納米級(jí)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)芯片,該芯片的功耗比舊型號(hào)更低、能效則更高。
SK海力士在一份聲明中表示,這款DRAM芯片名為1c 16Gb DDR5,其中的1c代表了SK海力士的第六代10納米工藝。
據(jù)介紹,此次1c 16Gb DDR5芯片將主要用于高性能數(shù)據(jù)中心,其運(yùn)行速度為8Gbps(每秒8千兆比特),與前一代相比速度提高了11%;此外該芯片還比前一代的能效提高了9%以上。
該公司還表示,在當(dāng)前人工智能蓬勃發(fā)展的時(shí)期,這可以幫助數(shù)據(jù)中心減少多達(dá)30%的電力成本。
此次的1c工藝是以1β工藝為基礎(chǔ),1β工藝就是上一代DRAM芯片采用的第五代10納米技術(shù),其以最佳性能的DRAM而廣受贊譽(yù)的。為了減少在推進(jìn)過程中產(chǎn)生的潛在錯(cuò)誤,并以最有效的方式轉(zhuǎn)移1β的優(yōu)勢(shì),該公司擴(kuò)展了1β的DRAM平臺(tái)以開發(fā)1c。
公司聲明中寫道,“公司以第五代(1β)技術(shù)力為基礎(chǔ),提高了設(shè)計(jì)完成度,率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備,從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品,引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展?!?/p>
DRAM開發(fā)部門負(fù)責(zé)人Kim Jonghwan表示,“1c工藝技術(shù)兼?zhèn)渲罡咝阅芎统杀靖?jìng)爭(zhēng)力,公司將其應(yīng)用于新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等最先進(jìn)DRAM主力產(chǎn)品群,由此為客戶提供差別化的價(jià)值。”