存儲(chǔ)芯片
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存儲(chǔ)芯片是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲(chǔ)行業(yè)的具體應(yīng)用,以ASIC技術(shù)和FPGA 技術(shù)兩種方式實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。
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2024-10-11 08:04 來自 財(cái)聯(lián)社
①國內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)迎來重大利好消息,武漢新芯集成電路股份有限公司科創(chuàng)板IPO獲受理。作為長(zhǎng)江存儲(chǔ)控股集團(tuán)的子公司,武漢新芯在NORFlash方面占據(jù)很大的市場(chǎng)份額。
②國泰君安舒迪預(yù)計(jì)將顯著推動(dòng)國內(nèi)在先進(jìn)封裝領(lǐng)域快速發(fā)展。
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2024-10-04 16:01 來自 財(cái)聯(lián)社 馮軼
①港股半導(dǎo)體板塊異動(dòng)拉升,發(fā)生了什么?
②宏光半導(dǎo)體日內(nèi)漲逾兩倍,還有哪些個(gè)股行情火爆?
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2024-09-30 13:09 來自 財(cái)聯(lián)社 瀟湘
①韓國統(tǒng)計(jì)廳周一公布的數(shù)據(jù)顯示,上個(gè)月韓國的半導(dǎo)體庫存以2009年以來最快的速度減少,這表明用于AI開發(fā)的高性能存儲(chǔ)芯片的需求持續(xù)增長(zhǎng)。
②數(shù)據(jù)顯示,8月份韓國芯片庫存同比下降了42.6%,比7月份同比下滑34.3%的降幅更大。
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2024-09-29 13:29 來自 科創(chuàng)板日?qǐng)?bào) 鄭遠(yuǎn)方
①存儲(chǔ)模組龍頭廠金士頓已啟動(dòng)降價(jià)以刺激銷售,主要聚焦在中低階產(chǎn)品。
②針對(duì)存儲(chǔ)行業(yè)前景,業(yè)內(nèi)機(jī)構(gòu)分析師看法各異。
③美光最新財(cái)報(bào)顯示,第四財(cái)季營(yíng)收取得十多年來最大漲幅,下一財(cái)季業(yè)績(jī)預(yù)測(cè)也超出預(yù)期。
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2024-09-19 15:07 來自 財(cái)聯(lián)社 周子意
①摩根士丹利將韓國存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士的股票評(píng)級(jí)從“增持”下調(diào)為“減持”,并下調(diào)了目標(biāo)股價(jià);
②受此消息影響,該公司股價(jià)周四(9月19日)在首爾股市暴跌,領(lǐng)跌半導(dǎo)體同行;
③摩根士丹利認(rèn)為,存儲(chǔ)芯片的狀況開始惡化,SK海力士的定價(jià)能力正在減弱。
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2024-09-13 16:20 來自 科創(chuàng)板日?qǐng)?bào) 宋子喬
①韓國8月份固態(tài)硬盤出口額同比大增249.8%;
②AI服務(wù)器拉動(dòng)需求復(fù)蘇,海外大廠集體調(diào)漲固態(tài)硬盤價(jià)格;
③機(jī)構(gòu)預(yù)估,三季度固態(tài)硬盤合約價(jià)將環(huán)比上漲15%,原廠營(yíng)收將季增近20%。
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2024-08-29 10:43 來自 財(cái)聯(lián)社 周子意
①韓國存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士周四(8月29日)稱,已開發(fā)出第六代10納米級(jí)DRAM芯片;
②該芯片采用了1c工藝,是以1β工藝(第五代10納米技術(shù))為基礎(chǔ)而開發(fā)的;
③新研發(fā)的DRAM將主要用于高性能數(shù)據(jù)中心,運(yùn)行速度提高了11%,且功耗更低。
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2024-08-27 22:45 來自 財(cái)聯(lián)社記者 王碧微
①江波龍上半年凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)近200%,高管稱與手機(jī)及PC市場(chǎng)復(fù)蘇、服務(wù)器市場(chǎng)爆發(fā)式增長(zhǎng)有關(guān);
②上下游夾擊下,公司Q2凈利潤(rùn)環(huán)比下滑,高管表示,AI對(duì)端側(cè)的拉動(dòng)有望在Q4體現(xiàn);
③公司上半年存貨創(chuàng)新高,公司高管表示并非為迎戰(zhàn)上游漲價(jià),囤貨產(chǎn)品系高附加值產(chǎn)品。
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2024-08-23 07:45 來自 科技日?qǐng)?bào) 張佳欣
北卡羅來納州立大學(xué)和約翰斯·霍普金斯大學(xué)的研究人員創(chuàng)建了一種名為“樹狀膠體”的聚合物結(jié)構(gòu),它們從微觀尺度開始,以分層的方式彼此分支,形成了納米級(jí)纖維網(wǎng)絡(luò)。這種形態(tài)創(chuàng)造了一種具有高表面積的結(jié)構(gòu),能在不犧牲數(shù)據(jù)密度的情況下將DNA沉積在納米纖維之間。
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