《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》5日訊，安世半導(dǎo)體今日宣布，推出新款600 V單管IGBT。據(jù)介紹，新款600 V單管IGBT采用載流子儲(chǔ)存溝槽柵場(chǎng)截止（FS）結(jié)構(gòu)，在最高175℃的工作溫度下可提供超低導(dǎo)通和開關(guān)損耗性能與高耐用性。